روسیه نقشه راه فناوری لیتوگرافی تشکیل تراشه خود تا سال ۲۰۳۷ را تشریح کرد_دنیای تکنولوژی

مؤسسه فیزیک ریزساختار از زیرمجموعه آکادمی علوم روسیه نقشه راه طویل مدت خود را برای گسترش ابزارهای لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) اراعه کرده است تا این سرزمین را به لیست کشورهای تولیدکننده تراشه‌های پیشرفته اضافه کند.

به نقل از Tom’s Hardware، پروژه تازه از سال آینده میلادی با منفعت گیری از فرایند ۴۰ نانومتری اغاز خواهد شد و تا سال ۲۰۳۷ ادامه می‌یابد. این پروژه این چنین ساخت تراشه با فرایند زیر ۱۰ نانومتر را نیز شامل می‌بشود. این نقشه راه تازه نسبت به برخی نقشه‌های قبلی واقعی‌تر به نظر می‌رسد، بااین‌حال تا این مدت شک و تردیدهای بسیاری درمورد اجرایی‌شدن آن وجود دارد.

روسیه می‌خواهد تا سال ۲۰۳۷ به فرایند ساخت تراشه پیشرفته دست یابد

اولین مسئله‌ای که در این نقشه راه جلب‌دقت می‌کند، اجتناب از تکرار معماری ابزارهای شرکت ASML در گسترش سیستم‌های پیشنهادی EUV است. برنامه روسیه در عوض بر منفعت گیری از مجموعه‌ای کاملاً متفاوت از فناوری‌ها از جمله لیزرهای حالت جامد هیبریدی، منبع های نور مبتنی بر پلاسما زنون، و آینه‌هایی ساخته‌شده از روتنیوم و بریلیم (Ru/Be) که نور را در طول موج ۱۱.۲ نانومتر بازتاب خواهند داد، تمرکز دارد.

انتخاب زنون به‌جای قطرات قلع که در ابزارهای EUV شرکت ASML منفعت گیری می‌بشود، از تشکیل ذرات زائد که به فوتوماسک‌ها صدمه می‌رسانند، جلوگیری می‌کند و علتمی‌بشود هزینه نگهداری به مقدار قابل‌توجهی افت یابد. در همین حال، در قیاس با ابزارهای فرابنفش ژرف (DUV) شرکت ASML، این سیستم‌ها با پیچیدگی کمتری طراحی شده‌اند تا از به‌کارگیری مایع‌های سختی بالا برای غوطه‌وری و ثبت الگو در چند مرحله برای گره‌های پیشرفته اجتناب بشود.

نقشه راه تازه روسیه شامل ۳ مرحله مهم است:

• اولین سیستم که برای سال‌های ۲۰۲۶ تا ۲۰۲۸ برنامه‌ریزی شده یک دستگاه لیتوگرافی با قابلیت ساخت ۴۰ نانومتری است که دارای یک سامانه دو آینه‌ای، دقت همپوشانی ۱۰ نانومتری، میدان تابش حداکثر ۳ × ۳ میلی‌متری و توان تشکیل بیشتر از پنج ویفر در ساعت خواهد می بود.
• مرحله دوم که بین سال‌های ۲۰۲۹ تا ۲۰۳۲ انجام می‌بشود، شامل یک اسکنر ۲۸ نانومتری با قابلیت ارتقا به ۱۴ نانومتر است که از سیستم اپتیکی چهارآینه‌ای منفعت گیری می‌کند. این سیستم دارای دقت همپوشانی ۵ نانومتری، میدان تابش ۲۶ × ۰.۵ میلی‌متری و توان خروجی بیشتر از ۵۰ ویفر در ساعت است.
• مرحله سوم برای سال‌های ۲۰۳۳ تا ۲۰۳۶ برنامه‌ریزی شده تا تشکیل زیر ۱۰ نانومتری را با پیکربندی شش آینه‌ای، تراز همپوشانی ۲ نانومتری و ابعاد میدان حداکثر ۲۶ × ۲ میلی‌متری مقدور کند. این سیستم برای دستیابی به توان خروجی بیشتر از ۱۰۰ ویفر در ساعت طراحی شده است.

مقصد این برنامه خودکفایی روسیه در عرصه تراشه‌ها است، اما اجرایی شدن آن به عوامل مختلفی بستگی دارد.